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Folha eletrônica do pacote da liga material microeletrónica de cobre feita sob encomenda de MoCu do molibdênio

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xnome | Aplicação da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico | Material | Liga de cobre do molibdênio |
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Categoria | MoCu10, MoCu15, MoCu20, MoCu25, MoCu30, MoCu35 etc. | Forma | Folha pequena ou costume |
Superfície | Brilhante | Tamanho | Conforme o pedido do cliente |
Aplicação | Campo de materiais microeletrónico | Porto da exportação | Algum porto em China |
Destacar | Material microeletrónico feito sob encomenda,Material microeletrónico do molibdênio,material aglomerado do molibdênio |
Aplicação da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico
1. Descrição da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico:
liga do Molibdênio-cobre (MoCu um molibdênio-cobre e tungstênio-cobre, ambos tem baixas características da expansão (o coeficiente da expansão térmica do molibdênio é 5.0x10-6/℃, o coeficiente da expansão térmica do tungstênio é 4.5x10-6/℃), e tem a condutibilidade térmica alta do cobre. , seus coeficiente da expansão térmica e condutibilidade térmica podem ser ajustados pela composição. Ambos são amplamente utilizados como o circuito integrado, radiador, material do dissipador de calor de acordo com necessidades.
2. Parâmetro da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico:
Condutibilidade térmica Com (﹒ de m k) |
Coeficiente 10-6/K da expansão térmica | Densidade g/cm3 | Condutibilidade térmica específica com (﹒ de m k) | |
WCu | 140~210 | 5.6~8.3 | 15~17 | 9~13 |
MoCu | 184~197 | 7.0~7.1 | 9.9~10.0 | 18~20 |
MoCu15 | 160 | 7,0 | 10 | / |
MoCu20 | 170 | 8,0 | 9,9 | / |
MoCu25 | 180 | 9,0 | 9,8 | / |
Mo | 138 | 5,35 | 10,22 | 13,5 |
Cu | 400 | 16,5 | 8,93 | 45 |
3. Ofício da produção da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico:
Método líquido da aglomeração da fase:
O tungstênio-cobre ou o pó misturado do molibdênio-cobre são aglomerados na fase líquida em 1300-1500° após a pressão. O material preparou-se tem através deste método a uniformidade pobre, muitos vácuos fechados, e a densidade é geralmente mais baixa de 98%. Pode melhorar a atividade da aglomeração, desse modo melhorando a densidade do tungstênio-cobre e das ligas do molibdênio-cobre. Contudo, a aglomeração níquel-ativada reduzirá significativamente a condutibilidade elétrica e térmica do material, e a introdução de impurezas na liga mecânica igualmente reduzirá a condutibilidade do material; o método da co-redução do óxido para preparar pós tem um processo incômodo, uma baixa eficiência da produção, e uma dificuldade na produção em massa.
Método de esqueleto da infiltração do tungstênio e do molibdênio:
Primeiramente, o pó do tungstênio ou o pó do molibdênio são pressionados na forma, e aglomerados em um esqueleto do tungstênio e do molibdênio com alguma porosidade, e infiltrados então com cobre. Este processo é apropriado para produtos do cobre do tungstênio do baixo-cobre-índice e do cobre do molibdênio. Comparado com o cobre do molibdênio, o cobre do tungstênio tem as vantagens da massa pequena, do processamento fácil, do coeficiente linear da expansão, da condutibilidade térmica e algumas de propriedades mecânicas principais equivalentes ao cobre do tungstênio. Embora a resistência térmica não seja tão boa quanto aquela do cobre do tungstênio, é melhor do que alguns materiais resistentes ao calor, assim que a perspectiva da aplicação é melhor. Porque o wettability do molibdênio-cobre é mais mau do que isso do tungstênio-cobre, especialmente ao preparar o molibdênio-cobre com baixo índice de cobre, a densidade do material depois que a infiltração é baixa, consequentemente, o material não pode encontrar os padrões para a hermeticidade, condutibilidade elétrica, ou a condutibilidade térmica. Sua aplicação é restringida.
4. Aplicação da liga de cobre do molibdênio como o material microeletrónico:
O cobre do molibdênio é amplamente utilizado nos circuitos integrados, os dissipadores de calor e os dissipadores de calor e outros materiais microeletrónicos. Os circuitos integrados de alta potência e os dispositivos da micro-ondas exigem materiais altos da condutibilidade elétrica e térmica como componentes condutores e calor-dissipando-se, ao tomar em consideração o desempenho do vácuo, a resistência térmica e o coeficiente da expansão térmica. o Tungstênio-cobre e os materiais do molibdênio-cobre cumprem estas exigências devido a suas propriedades e são preferiram consequentemente materiais para esta aplicação.
O material de embalagem eletrônico de cobre do molibdênio tem a condutibilidade térmica excelente e o coeficiente ajustável da expansão térmica. É atualmente o material de embalagem eletrônico preferido para componentes eletrônicos de alta potência no país e no estrangeiro, e pode ser combinado com a cerâmica Be0 e Al203. Outras indústrias incluem aquelas no espaço aéreo, na eletrônica de poder, em lasers de alta potência do semicondutor, e em medicina.
Além, no campos do empacotamento e da radiofrequência da micro-ondas que empacotam, este material é igualmente amplamente utilizado como o dissipador de calor. Em equipamentos eletrônicos militares, é usado frequentemente como a matéria-prima para placas de circuito da alto-confiança.
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