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O molibdênio feito sob encomenda TZM cobre para o metal do molibdênio da liga do molibdênio da folha TZM de Moly do disco do molibdênio do semicondutor
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xDetalhes do produto
| nome | Folha do molibdênio para o semicondutor | Material | Molibdênio e liga de molibdênio |
|---|---|---|---|
| Categoria | Mo1, TZM, liga de Mola | Densidade | 10,2g/cm3 |
| Forma | folha redonda | Aplicação | Semicondutores |
| Destacar | Folhas do molibdênio TZM,O semicondutor TZM cobre,folha feita sob encomenda do molibdênio |
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Descrição de produto
Folha do molibdênio para o semicondutor
1. Descrição da folha do molibdênio para o semicondutor:
A pureza alta, o alto densidade, a multa, e as características uniformes da grão estam presente no molibdênio que engasga alvos, tendo por resultado a eficiência extremamente alta engasgar, a espessura de filme uniforme, e uma superfície de gravação com água-forte lisa durante o processo engasgar.
A folha do molibdênio para semicondutores tem propriedades mecânicas excelentes, a baixa expansão, a condutibilidade térmica alta, e a condutibilidade elétrica extremamente alta em altas temperaturas. É um metal refratário com uma variedade de usos.
Há muitas combinações diferentes de molibdênio que podem ser usadas como um alvo engasgar, incluindo o molibdênio, o titânio do molibdênio, o tântalo do molibdênio, e alvos puros da liga do molibdênio. A pureza alta, o alto densidade, a multa, e as propriedades consistentes da grão estam presente no molibdênio que engasga alvos, tendo por resultado a eficiência extremamente alta engasgar, a espessura de filme homogênea, e uma superfície de gravação com água-forte limpa durante todo o processo engasgar. Folha do molibdênio feita às especificações de um cliente para semicondutores.
2. parâmetro da folha do molibdênio para o semicondutor:
| Nome | Folha do molibdênio para o semicondutor |
| Peso molecular | 95,94 |
| Aparência | Prateado |
| Ponto de derretimento | °C 2623 |
| Ponto de ebulição | °C 4639 |
| Densidade | 10280 kg/m3 |
| Solubilidade em H2O | N/A |
| Resistividade elétrica | 5,2 microhm-cm @ 0 °C |
| Electronegativity | 1,9 Paulings |
| Calor de fusão | 6,6 toupeira de Cal/gm |
| Calor de vaporização | Átomo de 128 K-Cal/gm no °C 4612 |
| A relação de Poisson | 0,31 |
| Calor específico | 0,0599 °C 25 de Cal/g/K @ |
| Resistência à tração | N/A |
| Condutibilidade térmica | 1,38 W/cm/K @ 298,2 K |
| Expansão térmica | (25 µm do °C) 4,8·m-1·K-1 |
| Dureza de Vickers | MPa 1530 |
| Módulo Young | 329 GPa |
3. Os produtos mostram da folha do molibdênio para o semicondutor:
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