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Titânio de alta temperatura do zircônio da fornalha do metal de Tzm do alvo da folha da liga do molibdênio do semicondutor TZM

Lugar de origem CHINA
Marca PRM
Certificação ISO9001
Número do modelo Costume
Quantidade de ordem mínima 1kg
Preço $50~200/kg
Detalhes da embalagem caixa da madeira compensada
Tempo de entrega dias 10~15work
Termos de pagamento T/T
Habilidade da fonte 2000kgs/month

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Detalhes do produto
nome Placa Targer da liga do molibdênio de TZM para o semicondutor Material Liga do molibdênio do zircônio do titânio
Categoria TZM Espessura 5~80mm
Largura 200~610mm Comprimento 150~1500mm
Superfície Lustrado Padrão ASTM B386
Destacar

Folha da liga do molibdênio do semicondutor

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Folha da liga do molibdênio de TZM

,

Folha de TZM

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Descrição de produto

Placa Targer da liga do molibdênio de TZM para o semicondutor

 
1. Descrição da placa Targer da liga do molibdênio de TZM para o semicondutor:
 
A superfície do alvo da placa da liga do molibdênio de TZM é cinza de prata com brilho metálico, que é amplamente utilizado na construção da fornalha do molde e das peças, componente que fabrica em indústrias eletrônicas e do semicondutor. Fornalha do vácuo e elétrodos de alta temperatura da fornalha e da placa de materiais de isolação térmica e de outras indústrias.
 
Espessura 5~80mm
Largura 200~610mm
Comprimento 150~1500mm
 
Igualmente nós podemos processar conforme o desenho do cliente.
 
Titânio de alta temperatura do zircônio da fornalha do metal de Tzm do alvo da folha da liga do molibdênio do semicondutor TZM 0Titânio de alta temperatura do zircônio da fornalha do metal de Tzm do alvo da folha da liga do molibdênio do semicondutor TZM 1
 
2. vantagens comparadas ao molibdênio puro da placa Targer da liga do molibdênio de TZM para o semicondutor:
Melhore a resistência de rastejamento,
Mais alta temperatura do recrystallization,
Melhore a força de alta temperatura,
Bom desempenho de solda.
 
 

3. Composição quimica medida real da placa Targer da liga do molibdênio de TZM:

 
Elemento Si Manganês Ni Cu V Zr O P Fe Magnésio
Concentração (%) 0,002 0,0009 0,0008 0,0018 0,013 0,086 0,32 0,001 0,0011 0,0015
Elemento Al Si Ca C N          
Concentração (%) 0,001 0,5 <0> 0,012 0,0022          
Pureza (base metálica) Mo≥99.06% (TZM)

 
4. Ofício da produção da placa Targer da liga do molibdênio de TZM para o semicondutor:
 
O boleto é sujeitado então à laminagem a quente de alta temperatura (forjamento de alta temperatura), ao recozimento de alta temperatura, à laminagem a quente média da temperatura (forjamento da temperatura do meio), ao recozimento médio da temperatura para eliminar o esforço, e ao rolamento morno (forjamento morno) para obter então o material terminado da liga de TZM (liga do titânio do zircônio do molibdênio).
 


 
 

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